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　　顯示器國際會議“18th International Display Workshops（IDW '11）”，于2011年12月7～9日在名古屋國際會場舉行，同期舉行的有機EL（OLED）和電子紙會議上，有很多產品的發布令筆者非常感興趣。

　　在“AMD1”與“OLED3”的合并會議“AMOLED”上，索尼發布了采用多晶氧化物TFT的有源矩陣驅動OLED（AMOLED）面板（論文序號AMD1/OLED3-1）。其溝道層采用多晶IGO膜取代了原來的非晶IGZO膜。遷移率高達22～24cm²/Vs，遇到DHF溶液也基本不會被蝕刻，因此適合反向通道蝕刻型TFT。

　　SRU（short range uniformity）方面，16個TEG檢測結果表明，Vth的平均值為0.23V，σ＝0.02V，偏差很小。LRU（long range uniformity）方面，在300mm×350mm的玻璃底板上，遷移率平均值為23.8cm²/Vs，σ＝0.86cm²/Vs，整個基板的偏差也很小。可靠性方面，在Vg＝Vd＝15V的PBTS（positive bias temperature stress）試驗中，在10000秒內有0.25V左右的Vth漂移。

　　索尼采用這種多晶IGO TFT試制出了有源矩陣驅動OLED面板。對角9.9英寸，像素為960×540（qHD），像素回路為2T（雙晶體管）構造。估計跟該公司已投產的11英寸OLED電視“XEL-1”一樣，通過2T-2C（2晶體管-2電容器）回路補償了Vth和遷移率。從照片上看，均一性良好。

　　由于IGO不能制造多結晶的靶材，所以必須在非晶狀態下成膜后通過基于熱退火的固相生長實現多晶化。長年從事多晶硅TFT業務的人員，可能會擔心“多晶化會不會需要巨大的熱量”，但由于“可以在非晶硅TFT的最高工藝溫度以下進行短時間處理”，所以對產品的批量生產似乎沒有什么影響。從均一性數據來看，結晶成長所產生的顆粒也基本沒有影響，因此完全有可能成為反向通道蝕刻型氧化物TFT的真正候補。