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　　中國臺灣晶圓代工大廠力積電傳出將和日本新創(chuàng)企業(yè)合作、目標在2029年量產磁阻式隨機存取存儲器(MRAM、Magnetoresistive Random Access Memory)，將利用力積電計劃在日本興建的晶圓廠第2期工程產線進行量產。

　　日經新聞2月4日報導，力積電將在2024年上半年和發(fā)源于日本東北大學、從事半導體技術研發(fā)的新創(chuàng)企業(yè)「Power Spin」進行合作，目標量產MRAM。據報導，東北大學長年來持續(xù)研究MRAM，而Power Spin將提供MRAM IP給力積電，力積電在推動研究、試產后，目標在2029年開始進行量產，期待可應用于生成式AI用資料中心。

　　報導指出，力積電攜手日本網絡金融巨擘SBI Holdings、計劃在日本宮城縣興建晶圓廠，而該晶圓廠將分為2期工程，第1期工程目標2027年投產、第2期工程目標2029年投產，而力積電預計將利用第2期工程產線、于2029年量產MRAM。

　　據報導，理論上來說，MRAM耗電力可壓低至現行存儲器(DRAM、NAND Flash)的1/100，且寫入速度快、即便切斷電源資料也不會消失，不過除了制造成本高之外，和現行存儲器相比，耐久性、可靠性等問題仍需克服，而力積電計劃藉由量產、壓低MRAM成本。

　　據報導，美國半導體大廠Everspin Technologies已量產MARM產品，而Power Spin首席技術長遠藤哲郎(東北大學教授)指出，2022年MRAM市場規(guī)模達300億日圓。

　　力積電、SBI 2023年10月31日宣布，雙方計劃在日本興建的首座晶圓廠確定將落腳宮城縣、已選定宮城縣黑川區(qū)大衡村的第二北仙臺中央工業(yè)園區(qū)為預定廠址。上述晶圓廠將分為2期工程，第1期工程目標2027年投產、以12吋硅晶圓換算的月產能為1萬片，將生產40nm、55nm芯片，第2期工程預計2029年投產，除上述40nm、55nm產品之外，也將生產28nm以及活用WoW(Wafer-on-Wafer)技術的芯片，屆時工廠滿載生產時、月產能將達4萬片。