日本高知工科大學針對作為ITO（Indium Tin Oxide）電極替代材料而備受矚目的ZnO（氧化鋅）的最新研究成果，在有源矩陣型顯示器國際學會“AM-FPD 10”（2010年7月5～7日，在東京工業大學舉行）上發表了演講（演講序號：4-1）。該大學以將ZnO應用于柔性顯示器和太陽能電池為目標，對在樹脂底板上形成的Ga Doped ZnO（GaZnO）膜的特性進行了研究，結果發現在樹脂底板上也可以獲得與玻璃底板幾乎相同的光透射率和電阻率。
研究小組此次在環烯烴類樹脂（Cycloolefin Polymer）底板上，采用離子鍍（Ion Plating）法對多晶GaZnO膜進行了成膜。樹脂底板的厚度為3mm，GaZnO膜的厚度最大為100nm左右。在不到100℃的底板溫度下生長的GaZnO膜，其可視光透射率為80％以上，電阻率為10-4Ωcm多，獲得了良好的結果。據介紹，雖然電阻率低于ITO，但可視光透射率高于ITO。
其特點是在應用于柔性元件時，即使彎曲GaZnO膜，膜的特性也不易劣化。原因是膜由五角形和六角形的晶粒（Grain）組合構成，因此彎曲后，“會像（由五角形和六角形構成的）足球一樣彎曲”（高知工科大學工學部教授山本哲也）。
另外，在生長時的底板溫度接近100℃這種要求比較高的條件下，存在GaZnO膜的空穴（正孔，Hole）遷移率會因熱應力而下降的可能。對于這個問題，有望通過在樹脂底板和GaZnO膜之間設置阻擋層來避免。此外，雖然GaZnO膜一般難以進行蝕刻加工，不過“我們已經形成了線寬和線間距均為3μm的微細圖案”（山本）。
高知工科大學在此次的演講中，就采用GaZnO透明電極試制3英寸和20英寸液晶面板的成果進行了介紹。另外，該大學正與卡西歐計算機、夏普以及三菱瓦斯化學等共同推進由日本經濟產業省主導的ITO替代材料開發項目。（記者：大下 淳一）
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